3Dカバープレートのデジタル・マスクレス・イメージング技術のパイオニア

ML-300 は直接、3D 曲面ガラスカバープレートの高精度な露光の実現により、高解像度、高生産性及び高歩留まりの製品を提供できます。安定した冷却システムで装置内部を22℃の恒 温状態で管理することにより、装置の安定を保障します。また、集積回路用の高精度な「ネガティブフォトレジスト」技術の3D曲面ガラスカバープレートへの適用を成功させました。 この技術は、3D 曲面ガラスカバープレートの一次歩留まりを95%以上までに向上させると同時に、より微細な図形や、より良い色の再現性が実現できます。従来のスクリーン工法の低 い歩留まり、高再加工率、線幅のバラツキなどの欠点を改善させます。

3D アプリケーションの利点:


マスク/フォトマスクなし、非接触リソグラフィー
高生産性、高歩留まり、低コスト
柔軟な生産、迅速な製品切り替え

·不規則に曲げたガラス(<30um)でに高品質のグラフィックス転送できます
·Z軸のリアルタイムフォーカシングし、ソフトウェア側リアルタイム補正によって、各仕様の製品へ処理できます
·2.5D / 3D / 4曲面/ U字型/サラウンド形状 およびその他の曲面ガラスグラフィックスを完成させることができます
产能 歩留まり 交換性 サンプル製作コスト
1200 pcs/h ≥95% 従来のすべてのプ
ロセスよりも高い
従来のすべてのプ
ロセスよりも低い

ガラスの発展動向VS工法の革新

転写印刷法

平行光技術

GISレーザー直接フォトエッチング技術

GISレーザー直接フォトエッチング技術

3D露光設備のコア技術

デジタルイメージング技術

TIの図形発生器-デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)チップを利 用して、デジタルイメージを生成します。 DMDは、80万或は200万のマイ クロミラーからなり、DMDスポットの範囲で、方型ドットの鮮鋭さやシャ ープネスが保証できます。この最新デジタル露光システムは、既に業界 の新しい基準になっています。


375ナノメートルレザー発生器

工業レベル375ナノメートルカップリングレーザー発生器であります。独 自に開発したレーザーイメージングシステムで、375ナノメートルカップ リングレーザー発生器のレーザー利用率を従来の30%から現在の50% まで引き上げています。


高精度の光学エンジン

DLP(Digital light processing)光学システムは、UVレーザー光源を使 用し、出力されるレーザーは特種コリメータレンズによりDMDに対する 非常に均一な照明を実現し、最後に投影レンズでイメージの出力を実 現します。投影レンズは、紫外線特種光学材料を使用する雙テレセント リックレンズで、低いひずみと高い透過率という特徴があります。


高精度運動システム

±1μm運動制御システム; 運動誤差のリアルタイム補償システム


先端インテリジェント3Dガラスカバープレート全ラインの自動化ソリューション

本ソリューションは3 Dカバーガラスの加工需要に応じ、曲面カバーガラスのプロセスに適用。全ラインの自動ローダー/アンローダー、パネル/プラズマ洗浄機、自動スプレーコータ、トンネル式表面乾燥機、直写式レーザー露出機、現像/洗浄機、トンネル式ベークラインまたは立型オーブンなどを含む補助設備があります。高解像度、高生産性、高生産量、より薄い厚さ、より高い品質(外観)、低コスト。3 D Glass LDIの適用分野:ウェアラブル製品、自動車製品、スマホン製品、家庭用電気製品など

プラズマ洗浄 3 Dフォットレジスト塗布 GIS 露光 現像 固化 イメージング
ガラス表面のクリーニング 喷涂控制单次膜厚
3μm±0.05
公差±0.05mm 低残像,
現像効果の制御
立型オーブン,
温度が均一 ±5℃で制御
洗浄後膜で包装
クライアントへ出荷
装置仕様/型番 GL800シリーズ
適用業種 家电曲面玻璃
装置寸法mm(カスタマイズ可 ) 3200x2150x2310
感光時間CT/pcs 180-300s
最大曝光面积(可订制 ) 1600*1200mm
対応できるフォトレジスト厚さ 1-15um (常规6um)
定格電圧 単相 220V/50HZ アース良好
定格圧縮空気圧力 0.8 Mpa
レーザー波長 375nm±10nm
レーザー伝送方式 光ファイバー
感光材料 フォトレジスト
画像解像度 12700dpi
最大出力 4KW (Laser 6w ) / 4.5KW (Laser 9w )
出力レーザーパワー 6W (±3%)/ 9W (±3%)
データフォーマット Gerber274X
露光精度 50±5μ
多層位置合わせ精度 60um
インクの輪郭鋸歯 ≤15μm
VAエリア長寛許容差 ±80um
位置偏差 ≤90um
ハードウエア繰り返し精度 ±25um

*予告なく仕様を変更する場合がありますので、ご了承ください

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